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華中傾佳電力電子科技有限公司

62mm基本SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本SiC碳化硅MOSFET模塊|基本SiC碳化硅降低電源...

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公司介紹
采用SiC碳化硅MOSFET功率模塊的電力電子變壓器加速取代傳統(tǒng)變壓器!
采用SiC碳化硅MOSFET功率模塊的固態(tài)變壓器加速取代傳統(tǒng)變壓器!
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造電力電子變壓器(power electronic transformer,PET)!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造固態(tài)變壓器(solid-state transformer,SST)!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT的電力電子變壓器(power electronic transformer,PET)也叫固態(tài)變壓器(solid-state transformer,SST),實(shí)現(xiàn)更高的電力電子變壓器(power electronic transformer,PET)也叫固態(tài)變壓器(solid-state transformer,SST)效率,更小的電力電子變壓器(power electronic transformer,PET)也叫固態(tài)變壓器(solid-state transformer,SST)體積重量!更低的電力電子變壓器(power electronic transformer,PET)也叫固態(tài)變壓器(solid-state transformer,SST)成本!

隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低電力電子變壓器(power electronic transformer,PET)也叫固態(tài)變壓器(solid-state transformer,SST)系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),整機(jī)重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代,未來已來!傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET!

傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT,全力推動基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命!Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

隨著能源互聯(lián)網(wǎng)、堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)以及泛在電力物聯(lián)網(wǎng)的建設(shè)和發(fā)展,電力電子技術(shù)的應(yīng)用舉足輕重。傳統(tǒng)的硅基電力電子器件受限于材料特性難以在耐壓、耐溫、開關(guān)頻率水平有所突破,而以基本公司SiC碳化硅MOSFET器件為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料器件,因其優(yōu)異的材料特性,尤其在中高壓電能變換設(shè)備的應(yīng)用中有著更為廣闊的前景。其應(yīng)用范例之一即受限于硅基器件耐壓水平的固態(tài)變壓器。固態(tài)變壓器作為智能電網(wǎng)的關(guān)鍵設(shè)備,除具備傳統(tǒng)工頻變壓器的功能外,還在電能靈活變換、模塊化集成、功率調(diào)控等方面獨(dú)具優(yōu)勢。因此,對于基本公司SiC碳化硅MOSFET電力電子器件以及其典型應(yīng)用的固態(tài)變壓器的研究有著十分重要的現(xiàn)實(shí)意義。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造的電力電子變壓器除了能實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)工頻交流變壓器的電壓變換和電氣隔離功能之外,還在故障切除、功率調(diào)控、分布式可再生能源接入等方面有獨(dú)特優(yōu)勢。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時(shí)保持z高結(jié)溫低于z大規(guī)定值。

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn),更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向,體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此,BASiC?基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗,以及更高可靠性等優(yōu)越性能,可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求,BASiC?基本公司基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET,產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。
針對新能源汽車的應(yīng)用需求,BASiC?基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET,可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動中。
B3M040120Z是BASiC?基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的z新產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC?基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊,產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC?基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊,主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。
BASiC?基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列,此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計(jì),可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通,還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。


為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,同時(shí)也為了使z終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。


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傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下,融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù),以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化,以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子(Changer Tech)-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向,將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手,積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài),為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品,包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器,涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器,用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件:車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET,大容量RC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET模塊,IGBT模塊,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET,IPM模塊,IGBT單管,混合IGBT單管,三電平IGBT模塊,混合IGBT模塊,光伏MPPT碳化硅MOSFET,伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,國產(chǎn)氮化鎵GaN,隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品,傾佳電子(Changer Tech)全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè),新能源汽車電控系統(tǒng),電力電子裝備,新能源汽車充電樁系統(tǒng),全液冷超充,高功率密度風(fēng)冷充電模塊,液冷充電模塊,歐標(biāo)充電樁,車載DCDC模塊,國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器,分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲,智能組串式儲能等行業(yè)應(yīng)用,傾佳電子(Changer Tech)為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗,從而為實(shí)現(xiàn)一個(gè)零碳地球做出貢獻(xiàn),邁向數(shù)字能源新時(shí)代!

公司檔案
公司名稱: 華中傾佳電力電子科技有限公司 公司類型: 企業(yè)單位 (服務(wù)商)
所 在 地: 湖北/武漢市 公司規(guī)模:
注冊資本: 未填寫 注冊年份: 2018
資料認(rèn)證:
保 證 金: 已繳納 0.00
經(jīng)營模式: 服務(wù)商
經(jīng)營范圍: 62mm基本SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本SiC碳化硅MOSFET模塊|基本SiC碳化硅降低電源紋波系數(shù)|動態(tài)響應(yīng)|電抗成本|傾佳SiC-MOSFET|華中電力電子|華中SiC碳化硅功率器件|華中SiC替代IGBT|固態(tài)變壓器SST基本SiC碳化硅MOSFET功率模塊|電力電子變壓器PET基本SiC碳化硅MOSFET功率模塊|BASiC基半一級代理|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|華中SiC碳化硅M
銷售的產(chǎn)品: 62mm基本SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本SiC碳化硅MOSFET模塊|基本SiC碳化硅降低電源紋波系數(shù)|動態(tài)響應(yīng)|電抗成本|傾佳SiC-MOSFET|華中電力電子|華中SiC碳化硅功率器件|華中SiC替代IGBT|固態(tài)變壓器SST基本SiC碳化硅MOSFET功率模塊|電力電子變壓器PET基本SiC碳化硅MOSFET功率模塊|BASiC基半一級代理|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|華中SiC碳化硅M
采購的產(chǎn)品: 62mm基本SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本SiC碳化硅MOSFET模塊|基本SiC碳化硅降低電源紋波系數(shù)|動態(tài)響應(yīng)|電抗成本|傾佳SiC-MOSFET|華中電力電子|華中SiC碳化硅功率器件|華中SiC替代IGBT|固態(tài)變壓器SST基本SiC碳化硅MOSFET功率模塊|電力電子變壓器PET基本SiC碳化硅MOSFET功率模塊|BASiC基半一級代理|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|華中SiC碳化硅M
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