鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片 晶體基片

產(chǎn)品名稱：  
鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片  
產(chǎn)品簡(jiǎn)介： NdGaO3是近十年中發(fā)展起來(lái)的新型基片，主要用作高溫超導(dǎo)體（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生長(zhǎng)用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小（~0.27%），且無(wú)結(jié)構(gòu)相變，在NdGaO3基片上可外延生長(zhǎng)質(zhì)量良好的薄膜。  
技術(shù)參數(shù)：   
晶體結(jié)構(gòu) 正交  
晶體參數(shù)? a=5.43,b=5.50,c=7.71  
熔點(diǎn)℃ 1600  
密度g/cm3 7.57  
介電常數(shù) 25  
生長(zhǎng)方法 提拉法  
產(chǎn)品規(guī)格：   
<001>,<110>,<100>公差：±0.5度  
10x10x0.5mm,10x5x0.5mm，5*3*0.5mm  
單拋，Ra<5A  
注：也可根據(jù)客戶需求定制相應(yīng)的尺寸和大小  
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝
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