RIE反應離子刻蝕機的產(chǎn)品介紹

PlasmaPro 80是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
●直開式設計允許快速裝卸晶圓
●出色的刻蝕控制和速率測定
●出色的晶圓溫度均勻性
●晶圓z大可達200mm
●購置成本低
●符合半導體行業(yè)S2/S8標準
應用
●III-V族材料刻蝕工藝
●硅Bosch和超低溫刻蝕工藝
●類金剛石（DLC）沉積
●二氧化硅和石英刻蝕
●用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片,裸晶片，以及200mm晶圓
●用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模的刻蝕
系統(tǒng)特點
●小型系統(tǒng)——易于安置
●優(yōu)化的電極冷卻系統(tǒng)——襯底溫度控制
●高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構——確保能提升工藝均勻性和速率
●增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
●近距離耦合渦輪泵——抽速高迅速達到所要求的低真空度
●關鍵部件容易觸及——系統(tǒng)維護變得直接簡單
●X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力，并且可以實現(xiàn)更快更可重復的匹配
●通過前端軟件進行設備故障診斷——故障診斷速度快
●用干涉法進行激光終點監(jiān)測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度（例如硅上的氧化物），或者用反射法來確定非透明材料（如金屬）的邊界
●用發(fā)射光譜（OES）實現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點監(jiān)測——監(jiān)測刻蝕副產(chǎn)物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監(jiān)測
RIE of InP waveguide
7?m polyimide feature RIE
Sub?m Si mesa etch
Deep Si feature etch by ICP-RIE
cryo process
Failure analysis-fast metal layer
exposure in the PlasmaPro FA ICP
新增:PTIQ軟件
PTIQ是針對PlasmaPro和Ionfab工藝系統(tǒng)而開發(fā)的z新智能軟件解決方案。
●對響應系統(tǒng)出色的控制水平
●zda化系統(tǒng)性能與工藝性能
●多級別軟件配置以匹配用戶需求
●全新的視覺布局與設計界面
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