基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET在逆變高頻焊機中的應用優勢
由于IGBT等功率器件的特性（開通關斷損耗較大），高頻逆變焊機加熱設備的效率、容量和成本都受到制約。隨著基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件技術的不斷成熟，其性能特點特別適合大功率高頻逆變焊機，通過對IGBT和基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件的參數對比分析，采用基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件對現有系列高頻逆變焊機的主電路進行優化，開發出適合于高頻逆變焊機的基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET的驅動電路和功率單元，采用基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET的高頻感應焊機的性能和焊接效率均優于使用IGBT的老設備。
逆變焊機高頻諧振軟開關電路等應用實現ZVS主要和Coss、關斷速度和體二極管壓降等參數有關。Coss決定所需諧振電感儲能的大小，值越大越難實現ZVS；更快的關斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體二極管的續流維持時間或者開關兩端電壓能達到的z低值；因為續流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗.在這些參數方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟競品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死區時間初始電流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側向電流觸發寄生BJT的能力會強一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競品有較多優勢，能減少LLC里面Q2的硬關斷的風險。綜合來看，比起競品，高頻諧振軟開關電路應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現會更好.
碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域z受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。適用于高性能變換器電路與數字化先進控制、高效率 DC/DC 拓撲與控制，雙向 AC/DC、電動汽車車載充電機（OBC）/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓撲與控制，直流配網的電力電子變換器。
基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產品基礎上，基本半導體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。
基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升。
更低器件開關損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產品可靠性表現出色。
更高工作結溫：第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。
由于IGBT等功率器件的特性（開通關斷損耗較大），高頻逆變焊機加熱設備的效率、容量和成本都受到制約。隨著基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件技術的不斷成熟，其性能特點特別適合大功率高頻逆變焊機，通過對IGBT和基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件的參數對比分析，采用基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件對現有系列高頻逆變焊機的主電路進行優化，開發出適合于高頻逆變焊機的基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET的驅動電路和功率單元，采用基本半導體B2M第二代SiC碳化硅MOSFET的高頻感應焊機的性能和焊接效率均優于使用IGBT的老設備。
逆變焊機高頻諧振軟開關電路等應用實現ZVS主要和Coss、關斷速度和體二極管壓降等參數有關。Coss決定所需諧振電感儲能的大小，值越大越難實現ZVS；更快的關斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體二極管的續流維持時間或者開關兩端電壓能達到的z低值；因為續流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗.在這些參數方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟競品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死區時間初始電流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側向電流觸發寄生BJT的能力會強一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競品有較多優勢，能減少LLC里面Q2的硬關斷的風險。綜合來看，比起競品，高頻諧振軟開關電路應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現會更好.
碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域z受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。適用于高性能變換器電路與數字化先進控制、高效率 DC/DC 拓撲與控制，雙向 AC/DC、電動汽車車載充電機（OBC）/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓撲與控制，直流配網的電力電子變換器。
基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產品基礎上，基本半導體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。
基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升。
更低器件開關損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產品可靠性表現出色。
更高工作結溫：第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。
