基本半導體B2M第二代碳化硅MOSFET在LLC，移相全橋型電源應用中的優勢
LLC諧振型開關電源以其兼具能夠在全負載范圍內實現原邊開關管的ZVS開通,整流二極管的ZCS關斷的特點和便于磁集成、輸入電壓范圍寬等優勢,在高頻開關電源領域獲得了廣泛的關注和應用。
移相全橋(Phase-Shifting Full-Bridge Converter，簡稱PS FB)，利用功率器件的結電容與變壓器的漏感作為諧振元件，使全橋電源的4個開關管依次在零電壓下導通(Zero voltage Switching，簡稱ZVS)，來實現恒頻軟開關，提升電源的整體效率與EMI性能，當然還可以提高電源的功率密度。
LLC，移相全橋等應用實現ZVS主要和功率MOSFET的Coss、關斷速度和體二極管壓降等參數有關。Coss決定所需諧振電感儲能的大小，值越大越難實現ZVS；更快的關斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體二極管的續流維持時間或者開關兩端電壓能達到的z低值；因為續流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗。B2M跟競品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小（115pF），需要的死區時間初始電流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側向電流觸發寄生BJT的能力更強。B2M第二代碳化硅MOSFET的體二極管的Vf和trr比競品優勢明顯，能減少LLC里面Q2的硬關斷的風險。綜合來看，相對競品，在LLC，移相全橋型電源應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現會更好.
BASiC基本半導體第二代碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域z受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。
BASiC基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導通電阻：BASiC第二代碳化硅MOSFET通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升。
更低器件開關損耗：BASiC第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。
更高可靠性：BASiC第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產品可靠性表現出色。
更高工作結溫：BASiC第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。
LLC諧振型開關電源以其兼具能夠在全負載范圍內實現原邊開關管的ZVS開通,整流二極管的ZCS關斷的特點和便于磁集成、輸入電壓范圍寬等優勢,在高頻開關電源領域獲得了廣泛的關注和應用。
移相全橋(Phase-Shifting Full-Bridge Converter，簡稱PS FB)，利用功率器件的結電容與變壓器的漏感作為諧振元件，使全橋電源的4個開關管依次在零電壓下導通(Zero voltage Switching，簡稱ZVS)，來實現恒頻軟開關，提升電源的整體效率與EMI性能，當然還可以提高電源的功率密度。
LLC，移相全橋等應用實現ZVS主要和功率MOSFET的Coss、關斷速度和體二極管壓降等參數有關。Coss決定所需諧振電感儲能的大小，值越大越難實現ZVS；更快的關斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體二極管的續流維持時間或者開關兩端電壓能達到的z低值；因為續流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗。B2M跟競品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小（115pF），需要的死區時間初始電流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側向電流觸發寄生BJT的能力更強。B2M第二代碳化硅MOSFET的體二極管的Vf和trr比競品優勢明顯，能減少LLC里面Q2的硬關斷的風險。綜合來看，相對競品，在LLC，移相全橋型電源應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現會更好.
BASiC基本半導體第二代碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域z受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。
BASiC基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導通電阻：BASiC第二代碳化硅MOSFET通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升。
更低器件開關損耗：BASiC第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。
更高可靠性：BASiC第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產品可靠性表現出色。
更高工作結溫：BASiC第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。
