在對低電阻率晶錠和晶圓進(jìn)行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重復(fù)性Si | Ge | 化合物半導(dǎo)體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導(dǎo)電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]
特征 ：
| 電阻率的非接觸式測量和成像 | 高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化 |
| 信號靈敏度 | 基于線圈頻率讀數(shù)（正在申請專利）的高信號靈敏度，可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確可靠的電阻率測量，并具有高再現(xiàn)性和可重復(fù)性 |
| 測量時間 | 測量時間 < 3 s，測量之間時間 < 1 s |
| 測量速度 | 200 mm 晶圓/晶錠 < 30 s，9個點(diǎn) |
| 多點(diǎn)測量及測繪顯示 | 不超過9999個點(diǎn) |
| 材料外形尺寸 | 平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜 |
| X-Y位置分辨率 | ≥ 0.1mm |
| 邊緣扣除 | 5 mm |
| 可靠性 | 模塊化、緊湊的臺式儀器設(shè)計，可靠性高，正常運(yùn)行時間 > 99% |
| 電阻率測量的重復(fù)性 | ≤ 0.15%，基于使用ANOVA Gage R&R方法對材料系統(tǒng)分析（MSA） |
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